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薄膜变温电阻测试仪(TRT)薄膜检测

发布时间:2015-07-20

产品型号:

产品特点:采用专用高精度电阻测试仪和温度测试仪测量材料电阻 R 随温度 T 的变化;
采用 Helmholtz 线圈提供均匀的磁场,用它可以产生极微弱的磁场直至数百 Gs 的磁场。用四
端法测量样品电阻随温度的变化,可减小接触电阻对测量的影响,提高测量精度;
采用氮气保护,可连续测量样品在-100~800℃范围内电阻随温度的变化;
采用流行的 USB2.0 接口与计算机相连,数据采集迅速准确;

薄膜变温电阻测试仪(TRT)薄膜检测的详细资料:

薄膜变温电阻测试仪(TRT )
本仪器由高精度电阻测试仪、温度测试仪、高斯计、变温样品炉、四端测试组件、数据采集软
件和数据采集处理计算机几个部分组成。


产品特点

 采用专用高精度电阻测试仪和温度测试仪测量材料电阻 R 随温度 T 的变化;
 采用 Helmholtz 线圈提供均匀的磁场,用它可以产生极微弱的磁场直至数百 Gs 的磁场。用四
端法测量样品电阻随温度的变化,可减小接触电阻对测量的影响,提高测量精度;
 采用氮气保护,可连续测量样品在-100~800℃范围内电阻随温度的变化;
 采用流行的 USB2.0 接口与计算机相连,数据采集迅速准确;
 用户界面直观友好,方便用户使用。


技术参数
温度范围           -100~800  ℃
磁场变化范围       0~1.3T
电阻测量范围       1μΩ~3MΩ,准确度:± 0.1%FS
温度测量精度       热电阻 0.1% ± 0.1℃;热电偶 0.5% ± 0.5℃
恒流源             1μA~1A,准确度:± 0.1%FS(FS 为满量程值)
供电电源           220 V AC
额定功率           < 2000W


应用
 金属、半导体、导电高分子薄膜(或块材)电阻率和磁阻的测量
 金属薄膜材料的电阻率,磁阻的测量(zui大厚度 0.2 毫米)
 金属块体材料电阻率的测量(zui大厚度 3 毫米)
 磁性合金薄膜的磁电阻测量
 铁磁/非铁磁/铁磁三层或多层薄膜的磁电阻测量
 自旋阀型巨磁电阻薄膜、隧道结型磁电阻薄膜的磁电阻测量


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